[发明专利]低应力变化PECVD二氧化硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510401373.4 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN105047544B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 吴庆才;王剑;侯永涛;朱丰 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/31;B81B7/02 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低应力变化PECVD二氧化硅薄膜的制备方法，该方法改进了一般的PECVD二氧化硅薄膜沉积工艺，通过在常规沉积温度400℃下，采用低气体流量60～70sccm及高射频功率300～400W的方式沉积得高收缩应力的PECVD二氧化硅薄膜，再结合MEMS后续的退火工艺，省略了比较繁琐和耗能耗时的退火工艺调整，可得到理想的退火前后应力变化小的PECVD二氧化硅薄膜，同时使退火后的薄膜介电性能良好，符合MEMS结构的要求。 1 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅薄膜 沉积 退火 退火工艺 低应力 制备 薄膜介电 气体流量 射频功率 应力变化 高收缩 省略 耗能 耗时 改进 | ||
【主权项】：
1.一种低应力变化PECVD二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于：包括步骤(1)：将反应气体供给到放置有基板的反应腔体中，并利用等离子体增强化学气相沉积在基板上沉积二氧化硅薄膜，该步骤中沉积温度为400℃，产生等离子体的射频功率为300～400W，反应气体的气体流量为60～70sccm，沉积所得PECVD二氧化硅薄膜的应力为‑200～‑350MPa；步骤(2)：将经步骤(1)所得二氧化硅薄膜进行退火，退火条件为1100～1200℃下退火50～60min；所述反应气体为SiH4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
