[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510401759.5 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN106328546B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李友溪;伏广才;张先明;严峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：对两个晶圆实施晶圆键合，其中，下晶圆上形成有焊盘，上晶圆上形成有与所述焊盘的位置相对应的键合材料；对上晶圆依次实施切边处理和磨削减薄处理；对所述晶圆实施湿法清洗，以去除残留于所述晶圆表面的杂质；对上晶圆实施灰化处理，以形成氧化表面；对上晶圆实施化学机械研磨处理，以降低整个晶圆表面的厚度差异。根据本发明，使整片晶圆的厚度差异值小于0.15微米的同时，维持理想的每小时处理晶圆的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：对两个晶圆实施晶圆键合，其中，下晶圆上形成有焊盘，上晶圆上形成有与所述焊盘的位置相对应的键合材料；对所述上晶圆依次实施切边处理和磨削减薄处理；对所述下晶圆和所述上晶圆实施湿法清洗，以去除残留于所述下晶圆和所述上晶圆表面的杂质；对所述上晶圆实施灰化处理，以形成氧化表面；对所述上晶圆实施化学机械研磨处理，以降低整个晶圆表面的厚度差异。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510401759.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：超薄芯片的双面暴露封装结构及其制造方法
- 下一篇：一种便于冷却水循环的冷凝器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
