[发明专利]调控SiC纳米阵列密度的方法有效
| 申请号： | 201510404012.5 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105133017B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王霖;陈善亮;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B1/00;H01J1/304;C01B31/36;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的调控SiC纳米阵列密度的方法，包括如下步骤，1)、前躯体准备；基体准备；2)、催化剂沉积：在准备好的基体表面沉积催化剂层；3)、将沉积有催化剂层的基体以及前躯体共同于烧结氛围中烧结，前躯体热解在基体表面形成SiC纳米阵列。本发明公开的制备方法工艺简单，生产方便，便于扩大规模，安全性好，产品质量稳定性好，产品性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 sic 纳米 阵列 密度 方法 | ||
【主权项】：
调控SiC纳米阵列密度的方法，其特征在于：包括如下步骤，1)前躯体准备；基体准备；2)催化剂沉积：在准备好的基体表面沉积催化剂层，通过调节催化剂层的厚度实现对SiC纳米阵列的阵列密度的调控，其中催化剂层的厚度范围为40‑100nm，纳米线的阵列密度为(5.0‑6.0)×107根/cm2，所述催化剂层为金层或者铁层或者镍层或者镧层；3)将沉积有催化剂层的基体以及前躯体共同于烧结氛围中烧结，前躯体热解在基体表面形成SiC纳米阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波工程学院，未经宁波工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510404012.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
