[发明专利]有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置与背板有效

专利信息
申请号: 201510404227.7 申请日: 2015-07-10
公开(公告)号: CN105261652B 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 王怡凯;高启仁;胡堂祥 申请(专利权)人: 广州奥翼电子科技股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/8234;H01L29/06;H01L27/32
代理公司: 广州微斗专利代理有限公司 44390 代理人: 苏畅
地址: 511458 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及具有该有机半导体薄膜晶体管的显示装置与背板。有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极,源极和漏极上设置有沟道层,沟道层中形成有使源极和漏极至少部分露出的沟道,沟道中填充有有机半导体层,有机半导体层与源极和漏极连接,有机半导体层上形成有图案。由于沟道的深度和延伸方向在制程过程中容易控制为具有较好的一致性,因此采用该种结构的有机半导体薄膜晶体管的不同元件中,其有机半导体层的厚度会更加均匀,而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列,也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好,因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管具有较为均一的特性。
搜索关键词: 有机半导体 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示装置 背板
【主权项】:
1.一种显示装置的背板,其上设置有薄膜晶体管阵列,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列包括多个有机半导体薄膜晶体管,所述有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极,其特征在于,所述源极和漏极上设置有沟道层,所述沟道层中形成有使所述源极和漏极至少部分露出的沟道,所述沟道中填充有有机半导体层,所述有机半导体层与所述源极和漏极连接,所述有机半导体层上形成有图案;所述有机半导体层的上表面相对于所述沟道层凸出;在横向方向上,所述栅极位于所述源极和所述漏极之间;所述沟道层的横截面呈倾斜角结构、垂直结构或底切结构;所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管,其中一端或两端的有机半导体薄膜晶体管上连接有分流道,所述分流道与所述沟道层连接且间隔设置以露出所述沟道。
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