[发明专利]基于量子阱带间跃迁的光电探测器

摘要

本发明涉及基于量子阱带间跃迁的光电探测器。一种光电探测器可包括第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的光子吸收层，所述光子吸收层包括至少一个量子阱层以及设置在每个所述量子阱层两侧的势垒层。本发明利用半导体PN结对量子阱参与的光电转换过程的调制作用，大幅度提升了基于量子阱材料的光电探测器的电流输出。

主权项

一种光电探测器，包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的光子吸收层，所述光子吸收层包括至少一个量子阱层以及设置在每个所述量子阱层两侧的势垒层，其中，所述至少一个量子阱层在吸收光子后生成连续态的光电流，其中：所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述势垒层包括GaAs或AlGaAs，所述量子阱层包括选自如下组的材料：应变InGaAs量子阱、InAs量子点、以及InAs/InGaAs量子阱中量子点；或者所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述势垒层包括InP或InAlAs，所述量子阱层包括选自如下组的材料：应变InGaAs量子阱、InAs量子点、InAs/InGaAs量子阱中量子点、应变InSb量子阱、InAsSb量子阱；或者所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述势垒层包括GaSb，所述量子阱层包括选自如下组的材料：应变InSb量子阱、InAs量子阱、InAsSb量子阱；或者所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述势垒层包括Si，所述量子阱层包括选自如下组的材料：Ge量子阱和GeSi量子阱。