[发明专利]高集成度片上混合型差分正交耦合器有效
| 申请号： | 201510406728.9 | 申请日： | 2015-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN105070705B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 陈志铭;高巍;王兴华;万嘉月 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高集成度片上混合型差分正交耦合器，属于射频集成电路领域。针对传统的正交耦合器芯片面积大且多为单端电路的问题，本发明提供一种片上混合型差分正交耦合器，包括设置在芯片第n金属层的用于连接差分输入端和差分直通端的差分直通螺旋线圈，交叉部分通过芯片第n、n‑1和n‑2金属层的跳线连接；设置在芯片第n‑1金属层的用于连接差分耦合端和差分隔离端的差分耦合螺旋线圈，交叉部分通过芯片第n‑2和n‑3金属层的跳线连接；差分直通螺旋线圈中心正对差分耦合螺旋线圈中心，两螺旋线圈的内径、金属线宽、金属线间距、金属线圈数均相等。所述高集成度片上混合型差分正交耦合器适用于差分信号处理电路，占用芯片面积小，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 集成度 混合 型差分 正交 耦合器 | ||
【主权项】：
高集成度片上混合型差分正交耦合器，其特征在于：所述片上混合型差分正交耦合器包括设置在芯片第n金属层的差分输入端(P1IA、P1IB)和差分直通端(P1DA、P1DB)，设置在芯片第n‑1金属层的差分耦合端(P2CA、P2CB)和差分隔离端(P2SA、P2SB)；其中差分输入端(P1IA、P1IB)和差分直通端(P1DA、P1DB)通过芯片第n金属层的差分直通螺旋线圈连接，交叉部分通过芯片第n、n‑1和n‑2金属层的跳线连接；差分耦合端(P2CA、P2CB)和差分隔离端(P2SA、P2SB)通过芯片第n‑1金属层的差分耦合螺旋线圈连接，交叉部分通过芯片第n‑2和n‑3金属层的跳线连接；芯片第n金属层的差分直通螺旋线圈中心正对芯片第n‑1金属层的差分耦合螺旋线圈中心，差分直通螺旋线圈与差分耦合螺旋线圈的内径、金属线宽、金属线间距、金属线圈数均相等；差分输入端的两端(P1IA、P1IB)、差分直通端的两端(P1DA、P1DB)、差分耦合端的两端(P2CA、P2CB)以及差分隔离端的两端(P2SA、P2SB)均分别设置在耦合器中轴线的两侧，呈立体结构。
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