[发明专利]CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510408223.6 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN105021328B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 程翔;徐攀;颜黄苹;郑明;楼卓格;史晓凤 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法，涉及压力传感器，设有硅衬底、压变膜、压变电阻、金属引线、焊盘、引压腔、圆形通孔、硼硅玻璃底盖；压变膜设于硅衬底上，压变电阻设在压变膜的中间和边缘位置，压变电阻设至少2根；所述金属导线和焊盘设于压变膜的边缘位置，引压腔设于硅衬底背面，所述硼硅玻璃底盖与硅衬底的下部键合并形成硅/玻璃静电键合结构，硼硅玻璃底盖上设有圆形通孔，圆形通孔用于引入压力源；所述CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器其制备方法如下：1)利用CMOS工艺制作压变电阻；2)制作金属引线、焊盘；3)在硅衬底背面刻蚀出引压腔窗口，制作压变膜；4)将硅衬底与硼硅玻璃底盖键合，划片。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 兼容 压阻式 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器，其特征在于设有硅衬底、压变膜、压变电阻、金属引线、焊盘、引压腔、圆形通孔、硼硅玻璃底盖；所述压变膜设于硅衬底上，所述压变电阻设在压变膜的中间和边缘位置，压变电阻设至少2根；所述金属引线和焊盘设于压变膜的边缘位置，所述引压腔设于硅衬底背面，所述硼硅玻璃底盖与硅衬底的下部键合并形成硅/玻璃静电键合结构，硼硅玻璃底盖上设有圆形通孔，圆形通孔用于引入压力源；所述压变膜为方形压变膜，所述方形压变膜的两边固定，两边自由；所述压变膜的厚度为0.5～20μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510408223.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：螺旋桨驱动旋转测力装置及测力方法
- 下一篇：一种微机械压力传感器
