[发明专利]二维材料膜的批量大面积制备方法

摘要

本发明涉及一种二维材料膜的批量大面积制备方法，其制备方法是：a.首先在生长基底表面生长出二维材料薄膜；b.生长有二维材料薄膜的生长基底通过蒸汽进行插层处理；c.然后将聚合物涂覆在二维材料薄膜上；d.将二维材料薄膜转移到聚合物基底上；e.将转移至聚合物基底的二维材料薄膜与生长基底分离。步骤e之后，将转移到聚合物基底上的二维材料薄膜再次转移到另一个目标基底上，腐蚀去除聚合物基底。有益效果是：生长基底可以循环利用，操作方便，工艺简单，大大提高了生产效率，降低了生产成本。

主权项

1.一种二维材料膜的批量大面积制备方法，其特征是：具有如下步骤：a.首先在生长基底(1)表面生长出二维材料薄膜(2)；b.然后将生长有二维材料薄膜(2)的生长基底(1)通过蒸汽进行插层处理；插层处理用蒸汽为水蒸气，c.然后将聚合物涂覆在二维材料薄膜(2)上，形成聚合物基底(3)；d.将二维材料薄膜(2)转移到聚合物基底(3)上；e.将转移至聚合物基底(3)的二维材料薄膜(2)与生长基底(1)分离，用于该二维材料膜的批量大面积制备方法的设备，包括生长基底(1)、基底循环装置、二维材料生长装置(5)、蒸汽插层处理装置(6)、聚合物涂层装置(7)、热转印装置和聚合物基底清除装置(8)，基底循环装置带动生长基底(1)依次通过二维材料生长装置(5)和蒸汽插层处理装置(6)，并在二维材料生长装置(5)和蒸汽插层处理装置(6)之间循环，热转印装置包括第一热转印滚轮(9‑1)、机械脱离滚轮(9‑2)和第二热转印滚轮(9‑3)，聚合物涂层装置(7)将聚合物涂覆在通过蒸汽插层处理装置(6)的二维材料薄膜(2)上，形成聚合物基底(3)，第一热转印滚轮(9‑1)位于聚合物涂层装置(7)后方，并压在聚合物基底(3)上，利用第一热转印滚轮(9‑1)的压力和热量将生长基底(1)上的二维材料薄膜(2)转移到聚合物基底(3)上，机械脱离滚轮(9‑2)位于第一热转印滚轮(9‑1)后方，并压在聚合物基底(3)上，将转移至聚合物基底(3)上的二维材料薄膜(2)与生长基底(1)分离，第二热转印滚轮(9‑3)位于机械脱离滚轮(9‑2)后方，与生长基底(1)分离的二维材料薄膜(2)和另一个目标基底(4)同时送入第二热转印滚轮(9‑3)，进行热转印，将聚合物基底(3)上的二维材料薄膜(2)转移到另一个目标基底(4)上，聚合物基底清除装置(8)位于第二热转印滚轮(9‑3)后方，转移到目标基底(4)的二维材料薄膜(2)送入聚合物基底清除装置(8)中，腐蚀去除聚合物基底(3)。