[发明专利]二次电子特性参数的测量装置和方法有效
| 申请号： | 201510409157.4 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN105092626B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 王鹏程;刘瑜冬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心 |
| 主分类号： | G01N23/225 | 分类号： | G01N23/225 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281 | 代理人： | 郭燕,彭家恩 |
| 地址： | 100049 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种二次电子特性参数的测量装置和方法，测量装置的二次电子探测器设置在真空室内，包括用于收集二次电子的侧壁收集极和顶部收集极，侧壁收集极和顶部收集极围合成筒状，侧壁收集极和顶部收集极通过绝缘环隔离，电子枪贯穿顶部收集极伸入二次电子探测器内部。本申请提出了通过二次电子的空间分布特性、二次电子产额与入射角度的关系、二次电子的能谱分布特性来对二次电子特性进行分析，为材料在二次电子发射特性方面的研究提供了新的方向，为更好地认识材料的二次电子发射特性奠定了基础。本申请实施例提供的测量装置和方法不仅具有较优的操作性，而且通过其校验机制，能够较好地保证测量结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 二次电子 特性 参数 测量 装置 方法 | ||
【主权项】：
二次电子特性参数的测量装置，其特征在于，该装置包括：真空系统，包括真空室及用于为真空室提供和维持真空环境的真空设备；电子束发射系统，其包括安装在真空室内、用于发射电子束的电子枪；二次电子探测器，其固定在真空室内，包括用于收集二次电子的侧壁收集极和顶部收集极，侧壁收集极和顶部收集极围合成筒状，侧壁收集极和顶部收集极通过绝缘环隔离，电子枪贯穿顶部收集极伸入二次电子探测器内部；电流测量系统，包括分别与顶部收集极和侧壁收集极连接的第一电流测量计和第二电流测量计；样品更换及调节系统，包括安装在真空室外的推进器及与之连接的样品台，样品台从二次电子探测器底部伸入其中，推进器驱动样品台上下移动。
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