[发明专利]基于GaAs的光电集成器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于GaAs的光电集成器件及其制备方法。光电集成器件包括GaAs衬底、形成在GaAs衬底上的N-GaAs集电区层、第一隔离区和第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区将N-GaAs集电区层分隔为第一区域、第二区域和第三区域，在第一区域的N-GaAs集电区层上由下至上依次形成有第一P-GaAs基区层、第一N-InGaP发射区层、第一N⁺-InGaAs帽层、器件隔离层、晶体过渡层、N-InP层、i-光吸收层和P-InP层；在第二区域的N-GaAs集电区层上由下至上依次形成有第二P-GaAs基区层、第二N-InGaP发射区层和第二N⁺-InGaAs帽层；在第三区域的N-GaAs集电区层上形成有第三P-GaAs基区层和第三N型电极。本发明能够实现PIN光电探测器、跨阻放大器和限幅器高度集成。

主权项

一种基于GaAs的光电集成器件，其特征在于，包括：GaAs衬底；N‑GaAs集电区层，所述N‑GaAs集电区层形成在所述GaAs衬底上；第一隔离区和第二隔离区，所述第一隔离区和所述第二隔离区从所述N‑GaAs集电区层的上表面嵌入延伸至所述N‑GaAs集电区层内部，将所述N‑GaAs集电区层分隔为第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域位于所述第一隔离区和所述第二隔离区之间；其中，在所述第一区域的N‑GaAs集电区层上由下至上依次形成有第一P‑GaAs基区层、第一N‑InGaP发射区层、第一N⁺‑InGaAs帽层、器件隔离层、晶体过渡层、N‑InP层、i‑光吸收层和P‑InP层，所述P‑InP层上形成有第一P型电极，所述N‑InP层上形成有第一N型电极；在所述第二区域的N‑GaAs集电区层上由下至上依次形成有第二P‑GaAs基区层、第二N‑InGaP发射区层和第二N⁺‑InGaAs帽层，所述第二N⁺‑InGaAs帽层上以及所述第二P‑GaAs基区层一侧的N‑GaAs集电区层上形成有第二N型电极，所述第二P‑GaAs基区层上形成有第二P型电极；在所述第三区域的N‑GaAs集电区层上形成有第三P‑GaAs基区层和第三N型电极，所述第三P‑GaAs基区层上形成有第三P型电极。