[发明专利]掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件及制造方法在审
| 申请号： | 201510410411.2 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN105047638A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 郭秋卫 | 申请（专利权）人： | 郭秋卫 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214400 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件及制造方法，所述封装件主要由第一金属层、中间金属层、第三金属层、芯片、金属线、塑封体组成。本发明利用一个掩膜完成所有不同金属层的电镀，通过对不同金属层厚度的控制，达到在电镀过程中，中间金属层和第三金属层自然超出第一金属层的目的；同时，第一金属层的硬度比中间金属层和第三金属层软，在塑封时塑封体进一步挤压第一金属层，进而中间金属层和第三金属层被塑封体嵌住，保证了管脚的牢靠。 |
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| 搜索关键词： | 曝光 利用 金属 硬度 优化 管脚 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件，其特征在于，所述封装件主要由第一金属层(3)、中间金属层(4)、第三金属层(5)、芯片(6)、金属线(7)、塑封体(8)组成；所述第一金属层(3)、中间金属层(4)和第三金属层(5)依次连接形成联合金属层，联合金属层分为相互分离的左中右三段，所述芯片(6)与联合金属层中间段的第三金属层(5)连接，金属线(7)连接芯片(6)与联合金属层左段和右段的第三金属层(5)，塑封体(8)包围第一金属层(3)、中间金属层(4)、第三金属层(5)、芯片(6)、金属线(7)。
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