[发明专利]厚金属焊盘的处理有效
| 申请号： | 201510411275.9 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105140139B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | P·加尼策尔;R·策尔扎赫尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王岳,徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及厚金属焊盘的处理。在本发明的实施例中，形成半导体器件的方法包括提供包含第一芯片区和第二芯片区的半导体衬底。在所述第一芯片区之上形成第一接触焊盘并在所述第二芯片区之上形成第二接触焊盘。所述第一和第二接触焊盘至少与所述半导体衬底一样厚。该方法进一步包括在所述第一和第二接触焊盘之间切割穿过该半导体衬底。所述切割从包括所述第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底一侧执行。在所述第一和第二接触焊盘以及通过切割暴露的半导体衬底的侧壁之上形成导电衬垫。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 处理 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，该方法包括：提供包括第一芯片区和第二芯片区的半导体衬底；在所述第一芯片区之上形成第一接触焊盘并在所述第二芯片区之上形成第二接触焊盘，其中所述第一和第二接触焊盘至少与所述半导体衬底一样厚；在所述第一和第二接触焊盘之间切割穿过该半导体衬底，其中所述切割从包括所述第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底的一侧被执行；以及在所述第一和第二接触焊盘以及通过所述切割暴露的半导体衬底的侧壁之上形成导电衬垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510411275.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：酒窖内温度测量记录装置
- 下一篇：互通式阀组
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
