[发明专利]垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510411372.8 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104992942B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 舒斌;吴继宝;范林西;陈景明;张鹤鸣;宣荣喜;胡辉勇;宋建军;王斌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/165;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法，该器件从下往上依次包括硅衬底、弛豫SiGe缓冲层、弛豫Si0.7Ge0.3虚衬底、n+δ掺杂层、弛豫Si0.7Ge0.3间隔层、应变Si沟道、弛豫Si0.7Ge0.3中间层、应变Si0.5Ge0.5沟道、弛豫Si0.7Ge0.3帽层和应变Si帽层。本发明采用张应变Si材料作n‑MOSFET沟道，压应变SiGe材料作p‑MOSFET沟道，n‑MOSFET与p‑MOSFET采用垂直层叠结构，二者共用一个多晶SiGe栅电极，电子和空穴的迁移率均有较大提高，提高了芯片的集成度、速度，为Si基器件和集成电路的高速、高频化发展开辟新的技术途径。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 层叠 应变 si sige 异质结 cmos 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构，其特征在于，从下往上依次包括硅衬底、弛豫Si1‑xGex缓冲层、弛豫Si0.7Ge0.3虚衬底、n+δ掺杂层、弛豫Si0.7Ge0.3间隔层、应变Si沟道、弛豫Si0.7Ge0.3中间层、应变Si0.5Ge0.5沟道、弛豫Si0.7Ge0.3帽层和应变Si帽层；弛豫Si0.7Ge0.3间隔层上左侧设有源极，右侧设有漏极，源极和漏极分别位于由应变Si沟道、弛豫Si0.7Ge0.3中间层、应变Si0.5Ge0.5沟道、弛豫Si0.7Ge0.3帽层和应变Si帽层连接而成的立方体结构的两侧，应变Si帽层上方一侧设有SiO2层和多晶SiGe栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
