[发明专利]一种制备多材料分区组成的薄膜层的掩膜方法在审

专利信息
申请号: 201510412041.6 申请日: 2015-07-15
公开(公告)号: CN105063551A 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 袁光辉;蒋柏斌;杨洪;魏胜;谢军;杜凯;任玮 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C16/04
代理公司: 中国工程物理研究院专利中心 51210 代理人: 翟长明;韩志英
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种制备多材料分区组成的薄膜层的掩膜方法。所述的掩膜方法借助由基底、掩膜板、支撑架组成的掩膜机构,制备由两种或以上材料分区域组成的单层薄膜产品。本发明中,掩膜板须根据薄膜产品做特殊定制:每块掩膜板与薄膜产品中的每种材料一一对应,掩膜板上设置有与其对应材料在薄膜产品中的边界轮廓位置、形状、大小完全相同的开孔区域。制备多材料分区组成的薄膜层时,轮流更换沉积源材料的同时,轮流使用与之对应的掩膜板,直到所有掩膜板均轮流使用过一次后,多材料分区组成的薄膜层即制备完成。本发明采用的是机械掩膜方法,方法本身及其所借助的掩膜机构简单、易用、可靠,能大幅降低生产成本、提高薄膜产品质量。
搜索关键词: 一种 制备 材料 分区 组成 薄膜 方法
【主权项】:
一种制备多材料分区组成的薄膜层的掩膜方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(a).将单晶硅基底固定于支撑架上,置于镀膜装置的粒子照射区;(b).取二氧化硅薄片,根据要制备的多材料分区组成的薄膜层中第一种材料的边界轮廓,在二氧化硅薄片上加工与之位置、形状、大小完全相同的开孔区域,作为第一块掩膜板;(c).将第一块掩膜板覆盖在单晶硅基底上,覆盖时使掩膜板侧边定位销沿支撑架定位槽由上往下嵌入,覆盖后将掩膜板和单晶硅基底夹紧;(d).沉积多材料分区组成的薄膜层中第一种薄膜材料;(e).取下第一块掩膜板;(f).参照步骤(b)~(e),沉积多材料分区组成的薄膜层中第二种薄膜材料;(g).参照步骤(b)~(e),沉积多材料分区组成的薄膜层中第三种薄膜材料;(h).参照步骤(b)~(e),沉积其余薄膜材料直到多材料分区组成的薄膜层制备完成。
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