[发明专利]TFT基板结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板结构及其制作方法。本发明的TFT基板结构，在非晶硅层与金属层之间设有N型轻掺杂非晶硅层与N型重掺杂非晶硅层，形成掺杂的浓度梯度，使得金属层和非晶硅层间的能量势垒较低，使电子注入更加容易，同时在不降低工作电流的前提下降低漏电流，改善了TFT的电性。本发明的TFT基板结构的制作方法，通过在非晶硅层与金属层之间形成N型轻掺杂非晶硅层与N型重掺杂非晶硅层，形成掺杂的浓度梯度，有效降低了金属层和非晶硅层间的能量势垒，使电子注入更加容易，同时在不降低工作电流的前提下降低漏电流，改善了TFT的电性。

主权项

1.一种TFT基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(10)，在所述基板(10)上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极(20)；步骤2、在所述基板(10)上沉积栅极绝缘层(30)，所述栅极绝缘层(30)覆盖所述栅极(20)；步骤3、在所述栅极绝缘层(30)上采用化学气相沉积方法依次沉积非晶硅层(41)、N型轻掺杂非晶硅层(42)、及N型重掺杂非晶硅层(43)；步骤4、采用一道光刻制程对所述非晶硅层(41)、N型轻掺杂非晶硅层(42)、及N型重掺杂非晶硅层(43)进行图案化处理，得到位于所述栅极(20)上方的岛状半导体层(40)，所述岛状半导体层(40)包括对应所述栅极20上方的非晶硅层(41)、N型轻掺杂非晶硅层(42)、及N型重掺杂非晶硅层(43)；步骤5、在所述栅极绝缘层(30)、及岛状半导体层(40)上沉积第二金属层(50)，然后所述第二金属层(50)上涂布一光阻层(60)，采用一道光罩对所述光阻层(60)进行曝光、显影，在所述光阻层(60)上形成一位于中间位置且贯通前后的条形通道(61)；步骤6、以所述光阻层(60)为遮挡，对所述第二金属层(50)进行湿蚀刻制程，得到分别对应所述条形通道(61)两侧的源极(51)与漏极(52)；步骤7、以所述光阻层(60)、及源、漏极(51、52)为刻蚀阻挡层，对所述岛状半导体层(40)进行干蚀刻制程，在所述岛状半导体层(40)上形成一对应所述条形通道(61)的U型槽(44)，所述U型槽(44)贯穿所述N型轻掺杂非晶硅层(42)、及N型重掺杂非晶硅层(43)，将所述N型重掺杂非晶硅层(43)分为位于U型槽(44)两侧的第一、第二N型重掺杂非晶硅层(431、432)，将所述N型轻掺杂非晶硅层(42)分为位于U型槽(44)两侧的第一、第二N型轻掺杂非晶硅层(421、422)，在所述非晶硅层(41)上对应于U型槽(44)下方的位置形成沟道(415)；所述源极(51)与漏极(52)分别与所述第一、第二N型重掺杂非晶硅层(431、432)的表面相接触；完成对所述岛状半导体层(40)的干蚀刻制程之后，剥离位于源、漏极(51、52)上方的光阻层(60)。