[发明专利]适用于多晶硅厚膜的石英舟有效
申请号: | 201510413582.0 | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN105006442B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 马晓锋;许涛 | 申请(专利权)人: | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人: | 李阳 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种适用于多晶硅厚膜的石英舟,该石英舟在现有石英舟的基础上,保持石英上棒上的上舟槽的槽型为Y型不变,槽宽为0.9mm不变,槽深为2.0mm不变,调整石英下棒上的下舟槽的槽型为上宽下窄的正梯形结构,槽宽为1.1mm,槽深为2.0mm,经该槽型及尺寸调整后的石英下棒与尺寸未发生变化的石英上棒构成的石英舟降低了与晶片之间的接触面积,粘舟情况和晶片情况良好,破片率低,操作简便且能够长期使用。 | ||
搜索关键词: | 适用于 多晶 硅厚膜 石英 | ||
【主权项】:
一种适用于多晶硅厚膜的石英舟,用于承载多晶硅厚膜片,其包括相互平行设置石英上棒(1)和石英下棒(2),石英上棒上设置有若干个彼此平行且等距的上舟槽(3),石英下棒上设置有若干个与彼此平行且等距的下舟槽(4),上、下舟槽的位置对应,其特征在于:所述上舟槽的槽型为Y型结构,上舟槽的槽宽(W1)为0.9mm,上舟槽的槽深(H1)为2.0mm;所述下舟槽的槽型为上宽下窄的正梯形结构,下舟槽槽底的槽宽(W2)为1.1mm,下舟槽的槽深(H2)为2.0mm;所述上舟槽的开口角度(α1)为60°,所述下舟槽的开口角度(α2)为60°;所述石英上棒(1)上设置有50个上舟槽,所述石英下棒(2)上设置有50个下舟槽,且相邻两个上舟槽或相邻两个下舟槽的间距(D1)为2.35~2.40mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司,未经苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510413582.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造