[发明专利]硅中介层有效
| 申请号： | 201510413740.2 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106206557B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 管式凡;施能泰 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅中介层，包含一硅基板，具有一正面及相对于正面的一背面；一第一集成电路芯片，设置在硅基板的正面；一第二集成电路芯片，设置在硅基板的正面且靠近第一集成电路芯片；一虚设切割道区域，设置在第一集成电路芯片与第二集成电路芯片之间；以及至少一电路器件，设置在硅基板正面的虚设切割道区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 中介 | ||
【主权项】：
1.一种硅中介层,其特征在于,包含有:一硅基板，具有一正面及与所述正面相对的一背面；一第一集成电路芯片，位于所述硅基板的所述正面，其中所述第一集成电路芯片包含第一存储器阵列；一第二集成电路芯片，位于所述硅基板的所述正面且靠近所述第一集成电路芯片，其中所述第二集成电路芯片包含第二存储器阵列；一虚设切割道区域，位于所述第一集成电路芯片与所述第二集成电路芯片之间；以及至少一电路器件，位于所述硅基板的所述正面上且位于所述虚设切割道区域中。
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