[发明专利]非易失性存储器读写控制电路

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器读写控制电路，包括：主控电路，替换电路，存储器接口控制电路；替换电路，用于存储一替换地址映射表，并根据该替换地址映射表查找主控电路输出的写地址所对应的地址；存储器接口控制电路，根据主控电路发出的写使能信号和写参数，以及替换电路输出的映射的存储单元地址，产生相应的存储单元写控制信号去写存储器，写完后，自动去读该存储单元，并且把读出的数据传送至主控电路。本发明能够增加非易失性存储器的整体使用寿命。

主权项

1.一种非易失性存储器读写控制电路，其特征在于，包括一主控电路，一替换电路，一存储器接口控制电路；当要写非易失性存储器时，所述主控电路接收写使能，写地址，写数据，然后把写数据缓存入其内部的缓存区，将写地址送到替换电路；所述替换电路中存储一替换地址映射表，并根据该替换地址映射表查找写地址所对应的存储单元地址，即映射的存储单元地址，并输出该映射的存储单元地址；所述存储器接口控制电路接收到主控电路发出的存储器接口写使能信号与写参数，以及替换电路送出的映射的存储单元地址后，根据写参数产生相应的存储器写控制信号去写相应存储单元，写完后，自动去读该存储单元，并且把读出的数据送入主控电路；所述主控电路对存储器接口控制电路读出的数据与之前缓存区中存储的数据进行比较，如果相同，则结束写操作，如果不一致，则改变写参数，用更长的写时间与更大的写电流，再次发出写地址与存储器接口写使能信号，替换电路与存储器接口控制电路重复之前的操作，直到读出的数据与之前缓存区中存储的数据一致；如果此时写参数已经大于设置的阈值，则主控电路发送地址映射更新使能信号，替换电路根据该地址映射更新使能信号开辟一个新的备份存储单元地址，并且在替换地址映射表中加入该写地址与所述备份存储单元地址的映射关系；在这之后，当替换电路再次遇到这个写地址时，在写操作完成后把替换地址映射表中表示该映射关系的有效信号设置为有效，并且输出更新映射表使能信号以及更新的这部分替换地址映射表给存储器接口控制电路；存储器接口控制电路更新的这部分替换地址映射表写入预留的用作存储替换地址映射表的存储单元。