[发明专利]背照式图像传感器的晶圆级封装方法及其封装结构在审
申请号: | 201510413998.2 | 申请日: | 2015-07-14 |
公开(公告)号: | CN105118841A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 靖向萌;冯光建 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅;涂三民 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,它包括以下步骤:在CIS晶圆的正面打出焊柱孔,用电镀的方式在焊柱孔内沉积出焊柱,焊柱与CIS晶圆内的线路导通,再在焊柱的柱顶沉积出导电层;在CIS晶圆的正面通过临时键合胶键合负载晶圆,以负载晶圆为支撑,减薄CIS晶圆的背面,再在CIS晶圆的背面添加滤光镜和微透镜;在CIS晶圆的背面涂上透光胶,在透光胶的背面键合透光封盖;以透光封盖为支撑,去除负载晶圆和临时键合胶,清洗CIS晶圆上残留的临时键合胶,清洗后,以透光封盖为支撑进行切割。本发明降低了封装的工艺难度和成本,降低了封装成品的厚度。 | ||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 晶圆级 封装 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是该方法包括以下步骤:a、在CIS晶圆(1)的正面打出焊柱孔,用电镀的方式在焊柱孔内沉积出焊柱(2),焊柱(2)与CIS晶圆(1)内的引线(11)导通,再在焊柱(2)的柱顶沉积出导电层(3);b、在CIS晶圆(1)的正面通过临时键合胶(4)键合负载晶圆(5),以负载晶圆(5)为支撑,减薄CIS晶圆(1)的背面,再在CIS晶圆(1)的背面对应图像传感器(10)位置添加滤光镜(6)和微透镜(7);c、在CIS晶圆(1)的背面涂上透光胶(8),在透光胶(8)的背面键合透光封盖(9);d、以透光封盖(9)为支撑,去除负载晶圆(5)和临时键合胶(4),清洗CIS晶圆(1)上残留的临时键合胶(4),清洗后,以透光封盖(9)为支撑进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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