[发明专利]一种可控晶体尺寸的DAST晶体生长工艺在审
| 申请号： | 201510414588.X | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104962985A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 庞子博;孟大磊;武聪;杨丹丹;王玲玲;徐永宽 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B7/08 | 分类号： | C30B7/08;C30B29/54 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可控晶体尺寸的DAST晶体生长工艺。该工艺通过三个基础步骤可以产生多种工艺的组合。其中，步骤A：DAST的甲醇溶液浓度为2.5-3.5wt%，主要是用于使DAST晶体沿a轴和b轴方向生长；步骤B：DAST的甲醇溶液浓度为1.5-2.5wt%，主要是用于使DAST晶体沿c轴方向生长；步骤C：DAST的甲醇溶液浓度为0.5-1.5wt%，此步骤主要是用于去除DAST晶体表层粘附的杂质和多晶颗粒，即对晶体表层进行一定程度的修整。利用上述三个基础步骤可以产生多种工艺的组合来生长可控尺寸的DAST晶体，为DAST晶体及相关产品研究奠定了良好的物质与理论基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 晶体 尺寸 dast 晶体生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种可控晶体尺寸的DAST晶体生长工艺，其特征在于，在氩气气氛中，配制DAST甲醇溶液浓度为2.5‑3.5wt%，置于广口瓶中，在DAST甲醇溶液中放入一颗DAST晶体，用胶塞密封后将广口瓶从氩气环境中取出；将广口瓶置于控温精度为±0.05℃且恒温至46‑53℃的温控水浴槽中，待DAST溶液稳定且与水浴温度一致后，开启降温程序，降温速率为0.25‑0.45℃/d，晶体生长周期为4‑18 d，此时DAST晶体沿a轴和b轴生长。
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