[发明专利]一种锗单晶片的单面研磨方法

摘要

本发明涉及一种锗单晶片的单面研磨方法，包括粘蜡、减薄、解离、去蜡步骤，首先通过粘蜡的方法获得直径、莫氏强度都大于锗单晶片的载片与锗单晶片粘合在一起的双层结构的复合片；通过研磨的方式减薄获得一定厚度的双层结构复合片；通过加热的方法进行载片与锗单晶片的解离；然后对锗单晶研磨片进行去蜡处理即可得到所需厚度的锗单晶片。有益效果是锗单晶片表面质量优异，实时测量、控制研磨去除量，减少了晶片崩边和裂纹的产生，降低了生产成本。

主权项

一种锗单晶片的单面研磨方法，其特征在于：依次进行粘蜡、减薄、解离、去蜡工艺，其具体步骤如下：步骤1. 粘蜡，对锗单晶研磨片（3）和载片（4）分别测厚，将锗单晶研磨片（3）的背面与载片（4）粘蜡后并粘合在一起，得到双层结构的复合片（5）；步骤2. 研磨，将复合片（5）置于研磨机的游星轮（6）放料槽内，利用研磨机游星轮将复合片（5）置于研磨机的上磨盘（1）和下磨盘（2）之间，加入研磨料，对复合片（5）进行四种加压研磨，轻压研磨：时间为20～40s、压力为30～50kg、转速为2～6RPM、研磨液流量为600～800mL/min，中压研磨：时间为20～40s、压力为30～50kg、转速为4～7RPM、研磨液流量为600～800mL/min，修磨：时间为20～40s、压力为40～60kg、转速为7～10RPM、研磨液流量为600～800mL/min，重压研磨时间为180～200s、压力为50～70kg、转速为10～14RPM、研磨液流量为600～800mL/min；步骤3. 解离，对复合片（5）测厚计为W1，对直径较大的载片（4）于锗单晶研磨片（3）边缘外测厚计为W2，则研磨后的锗单晶研磨片（3）的厚度为W1‑W2，通过加热的方法使得蜡层软化，实现复合片（5）解离；步骤4. 去蜡，将解离出的锗单晶研磨片（3）在配比为蜡水与去离子水的体积比1:20～30的去蜡水中、温度40～50℃、时间5min超声去蜡，甩干后即得所需厚度的锗单晶片。