[发明专利]一种金属电极和硅基底之间接触电阻的测试方法有效
申请号: | 201510415802.3 | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN105118792B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 李琰琪;王栩生;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属电极和硅基底之间接触电阻的测试方法,包括如下步骤(1) 将电池片放在测试底板和固定探针之间;(2) 将固定探针压在电池片的两条主栅上,然后使移动探针划过细栅进行测试,得到第一测试图片;(3) 将电池片水平旋转180度,将电池片固定在测试底板上;(4) 将固定探针压在电池片的两条主栅上,然后使移动探针划过细栅进行测试,得到第二测试图片;(5) 将上述第一测试图片和第二测试图片组合起来,即可得到完整的测试图片。本发明解决了现有技术中测试图片的上端具有大量的留白的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属电极 基底 之间 接触 电阻 测试 方法 | ||
【主权项】:
一种金属电极和硅基底之间接触电阻的测试方法,采用CORRESCAN设备测试金属电极和硅基底之间接触电阻,其特征在于,包括如下步骤:(1) 将电池片放在测试底板和固定探针之间,电池片左端、底端分别与底板左端、底端标尺对齐;然后抽真空将电池片固定在测试底板上;(2) 将固定探针压在电池片的两条主栅上,然后使移动探针划过细栅进行测试,得到第一测试图片;所述移动探针的运行方向为:从电池片的底端沿S型路线逐渐向上运动,直至分割线为止;所述分割线的位置位于固定探针压住的两条主栅中的任意一条上;(3) 松开固定探针、关闭抽真空设备,将电池片水平旋转180度,电池片右端、顶端分别与底板左端、底端标尺对齐;然后抽真空将电池片固定在测试底板上;(4) 将固定探针压在电池片的两条主栅上,然后使移动探针划过细栅进行测试,得到第二测试图片;所述移动探针的运行方向为:从电池片的顶端沿S型路线逐渐向上运动,直至分割线为止;(5) 将上述第一测试图片和第二测试图片组合起来,即可得到完整的测试图片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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