[发明专利]一种光致电子发射源及其制造方法、电子发射装置

摘要

本发明实施例公开了一种光致电子发射源及其制造方法、电子发射装置，所述制造方法包括：选取适合碳纳米管生长的导电基底；在所述导电基底上沉积催化剂层；在所述催化剂层上生长碳纳米管。本发明实施例通过在导电基底上沉积催化剂层、以及生长碳纳米管进行制备的光致电子发射源，发射电流密度大、光电发射效率高、真空度要求低、稳定性高、制备方法简单、成本低。

主权项

1.一种电子发射装置，其特征在于，包括：真空腔体、阳极、电子发射源、阴极支架、第一可伐、第二可伐、光源、光束聚焦系统、阳极引线和阴极引线；所述真空腔体内设有阳极、电子发射源和阴极支架；电子发射源设于阴极支架上，电子发射源和阳极相对；所述阳极引线通过第一可伐与阳极连接；所述阴极引线通过第二可伐与阴极支架连接；所述光源和光束聚焦系统设于真空腔体的外部；光源，用于提供照射电子发射源的光线，以使电子发射源发射电子；光源聚焦系统，用于对光源发出的光线进行聚焦处理；其中，所述光源的光功率的输出为直流输出或脉冲输出方式；当所述光源的光功率为脉冲输出方式时，输出的脉冲宽度在10fs‑1s之间；所述电子发射源发射电子的方式为热电子发射方式；当采用所述电子发射装置工作时，若所述光源的光功率输出为直流输出方式，在阳极电压的作用下，产生发射电流，随着阳极电压的增加，发射电流呈饱和的发射特征；所述电子发射源为光致电子发射源；所述光致电子发射源基于如下的方法进行制造：选取适合碳纳米管生长的导电基底；在所述导电基底上沉积催化剂层；在所述催化剂层上生长碳纳米管，其中，所述碳纳米管为直立生长方式。