[发明专利]集成电路的版图设计方法、版图设计系统和制作方法有效
| 申请号： | 201510416102.6 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104915528B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 孙建伟;陈岚;王海永 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路的版图设计方法、版图设计系统和制作方法，包括：设计集成电路的初始拓扑结构和集成电路的每个晶体管的初始尺寸，以及，获取集成电路的每个晶体管的版图效应的相关参数的预设数值范围；对集成电路的初始拓扑结构、每个晶体管的初始尺寸和每个晶体管的版图效应相关参数的预设数值范围进行前仿真，以得到满足预设良率的目标版图设计参数，目标版图设计参数包括集成电路的目标拓扑结构和集成电路的每个晶体管的目标尺寸，以及，集成电路的每个晶体管的版图效应的相关参数的目标数值；根据目标版图设计参数，设计满足预设性能的集成电路的目标版图，保证了制作集成电路的良率，改善了现有设计版图时的设计周期长的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 晶体管 版图设计 预设 版图设计参数 相关参数 初始拓扑结构 良率 制作 设计周期 拓扑结构 保证 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的版图设计方法，其特征在于，包括：S1、设计所述集成电路的初始拓扑结构和所述集成电路的每个晶体管的初始尺寸，以及，获取所述集成电路的每个晶体管的版图效应的相关参数的预设数值范围；其中，所述版图效应包括阱邻近效应和浅沟槽隔离应力效应中的至少一种，以及，所述浅沟槽隔离应力效应的相关参数包括：栅极区第一边界至有源区在相同方向的第一边界之间的距离SA、所述栅极区第二边界至所述有源区在相同方向的第二边界之间的距离SB和所述栅极区内相邻两个栅极之间的距离SD；其中，所述浅沟槽隔离应力效应的相关参数的预设数值范围为：SA＝(1+ra)*SAO；SB＝(1+rb)*SBO；SD＝(1+rd)*SDO其中，ra、rb和rd均为相应参数允许变化范围，SAO、SBO和SDO均为相应参数的预设初始数值；S2、对所述集成电路的初始拓扑结构、每个晶体管的初始尺寸和每个晶体管的版图效应相关参数的预设数值范围进行前仿真，以得到满足预设良率的目标版图设计参数，所述目标版图设计参数包括所述集成电路的目标拓扑结构和所述集成电路的每个晶体管的目标尺寸，以及，所述集成电路的每个晶体管的版图效应的相关参数的目标数值；S3、根据所述目标版图设计参数，设计满足预设性能的所述集成电路的目标版图。
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