[发明专利]一种真空恒温高压喷雾结晶工艺及装置在审
| 申请号： | 201510417164.9 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105080178A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 袁梦琦;赵宏伟;袁昭祥 | 申请（专利权）人： | 袁梦琦 |
| 主分类号： | B01D9/00 | 分类号： | B01D9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 448000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种真空恒温高压喷雾结晶工艺，其包括以下步骤：S1、分散主物料：在恒温18℃真空环境下对主物料进行充分分散；S2、喷洒其他物料：在高压环境下形成喷雾膜，并均匀的分散在主物料上；S3、将S2中得到的喷洒有其他物料的主物料在高压恒温真空环境下进行分子溶合，得到质地均匀的结晶物。本发明提供的结晶工艺结晶效率高，利用真空恒温高压对两种以上固体与固体或两种以上固体与液体进行喷雾结晶、结晶效率高，得到的结晶物结晶均匀、结晶物品质好，结晶成功率高。结晶均匀，结晶后的晶体完整，颗粒均匀，表面无明显粉尘，密度为1.43g/cm3。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 恒温 高压 喷雾 结晶 工艺 装置 | ||
【主权项】：
一种真空恒温高压喷雾结晶工艺，其特征在于：其包括以下步骤：S1、分散主物料：在恒温18℃真空环境下对主物料进行充分分散；S2、喷洒其他物料：在高压环境下形成喷雾膜，并均匀的分散在主物料上；S3、将S2中得到的喷洒有其他物料的主物料在高压恒温真空环境下进行分子溶合，得到质地均匀的结晶物。
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