[发明专利]SiCf/SiC复合材料的界面改性方法有效
| 申请号： | 201510417862.9 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105152671B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 周新贵;杨备;余金山;王洪磊;柴宇新;杨会永;殷刘彦 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 赵洪,黄丽 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiCf/SiC复合材料的界面改性方法，包括以下步骤（1）在SiC纤维预制体中的SiC纤维表面制备界面涂层；（2）以带界面涂层的SiC纤维预制体为增强体，以LPVCS为先驱体，采用热模压辅助交联的PIP工艺进行处理，制得经过界面改性的SiCf/SiC复合材料。本发明的界面改性方法显著改善了复合材料中纤维与基体的界面结合，提高了复合材料的弯曲强度和断裂韧性，降低了材料的孔隙率，缩短了复合材料的制备周期。 | ||
| 搜索关键词： | sic sub 复合材料 界面 改性 方法 | ||
【主权项】：
一种SiCf/SiC复合材料的界面改性方法，包括以下步骤：（1）在SiC纤维预制体的SiC纤维表面制备界面涂层；（2）以上述带界面涂层的SiC纤维预制体为增强体，以LPVCS为先驱体，采用热模压辅助交联的PIP工艺进行处理，制得经过界面改性的SiCf/SiC复合材料；所述界面涂层是由内至外依次为PyC涂层和h‑BN涂层的复合涂层；所述h‑BN涂层是由以下方法制备得到：以三氯化硼和氨气为源气，以氮气和氢气为稀释气体，将所述SiC纤维预制体置于化学气相沉积炉内，采用压差法进行化学气相沉积，得到h‑BN涂层；所述h‑BN涂层的化学气相沉积工艺参数为：沉积温度500 ℃～900 ℃，沉积压力500 Pa～2000 Pa，沉积时间1 h～5 h，所述三氯化硼的流量为0.4 L·h‑1～1 L·h‑1，所述氨气的流量为1.2 L·h‑1～3 L·h‑1，所述氮气的流量为4 L·h‑1～10 L·h‑1，所述氢气的流量为4 L·h‑1～10 L·h‑1。
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