[发明专利]一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法

摘要

本发明公开了一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法，通过分别在金字塔锥状氮化镓的顶部和底部制作多层的InGaN量子点和Ag纳米颗粒，利用量子结构的量子尺寸效应，实现InGaN量子点出射的单光子与Ag纳米颗粒的表面等离激元进行多重量子耦合，形成单光子激射，从而实现高效率和高强度的单光子发光。

主权项

一种多重耦合的单光子发光体，包括：衬底，N型氮化镓层，具有纳米孔洞的掩膜版，第一InGaN量子点，金字塔锥状氮化镓，第二InGaN量子点，第一Ag纳米颗粒，第二Ag纳米颗粒以及反射镜，所述N型氮化镓层正面具有掩膜版的纳米孔洞，位于纳米孔洞中的第一InGaN量子点和位于N型氮化镓层背面的第一Ag纳米颗粒形成第一重单光子和等离激光耦合的单光子发光体，位于金字塔锥状氮化镓顶部的第二InGaN量子点和位于金字塔锥状氮化镓尖端的第二Ag纳米颗粒形成第二重单光子和等离激光耦合的单光子发光体，通过多重耦合，形成单光子发光器件。