[发明专利]一种垂直结构氮化物发光二极管的制作方法有效
申请号: | 201510418003.1 | 申请日: | 2015-07-16 |
公开(公告)号: | CN105070795B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 郑锦坚;杜伟华;寻飞林;李志明;邓和清;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种垂直结构氮化物发光二极管的制作方法,利用极性处理方法,形成整片分布均匀的Ga极性悬挂键的接触层,在该Ga极性接触层镀上N电极后可形成低电压且电压分布均匀的垂直结构氮化物发光二极管。 | ||
搜索关键词: | 一种 垂直 结构 氮化物 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】:
一种垂直结构氮化物发光二极管的制作方法,包含以下工艺步骤:(1)在临时衬底上生长氮化物发光二极管的外延结构,所述外延结构包括氮化物缓冲层、N型氮化镓、发光层和 P型氮化镓;(2)将P型氮化镓键合在永久衬底上,并在永久衬底上镀P电极;(3)采用剥离技术将临时衬底剥离,暴露出氮化物缓冲层的接触面,或者,再将剥离临时衬底后的外延结构采用干法蚀刻至N型氮化镓,形成N型氮化镓的接触面;(4)采用极性处理方法将裸露接触面的Ga‑O键的O去除,然后通过高低温脉冲通镓法,将N极性悬挂键与Ga键结合,形成整片分布均匀Ga极性悬挂键的接触层;(5)在无氧气接触的环境中,沉积N电极,防止Ga键与空气中的O结合形成Ga‑O键。
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