[发明专利]铜互连的电介质覆盖层的形成方法有效
| 申请号： | 201510418313.3 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN106356329B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铜互连的电介质覆盖层的形成方法，包括:提供半导体衬底；在半导体衬底上形成低K介电层和位于低K介电层中的铜互连结构；刻蚀低K介电层，以使得低K介电层的顶面高度低于铜互连结构的顶面高度；在低K介电层及铜互连结构表面淀积无定形Si层；引入第一气体源处理无定形Si层，以形成富硅SiN层；进行退火处理，以在铜互连结构表面形成CuSiN层；引入第二气体源处理低K介电层及铜互连结构表面，以使得无定形Si层完全转化为SiN层并且在铜互连结构表面充分形成CuSiN层；在SiN层上淀积形成电介质覆盖层。本发明能够保证器件的可靠性，提高铜互连的电迁移特性,避免对铜互连的电磁特性产生影响，还解决了因尖角覆盖的界面不平整对电磁特性产生不良影响的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 电介质 覆盖层 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜互连的电介质覆盖层的形成方法，包括:步骤一、提供半导体衬底；步骤二、在所述半导体衬底上形成低K介电层和位于所述低K介电层中的铜互连结构；步骤三、刻蚀所述低K介电层，以使得低K介电层的顶面高度低于所述铜互连结构的顶面高度；步骤四、在所述低K介电层及铜互连结构表面淀积无定形Si层；步骤五、引入第一气体源处理所述无定形Si层，以形成富硅SiN层；步骤六、进行退火处理，以在所述铜互连结构表面形成CuSiN层；步骤七、引入第二气体源处理所述低K介电层及铜互连结构表面，以使得所述无定形Si层完全转化为SiN层并且在所述铜互连结构表面充分形成CuSiN层；步骤八、在所述SiN层上淀积形成电介质覆盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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