[发明专利]一种层间介电层的化学机械抛光方法及其器件和电子装置

摘要

提供一种层间介电层的化学机械抛光方法及其器件和电子装置，包括：提供包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的第一栅极和第二栅极的前端器件，第一栅极的宽度大于第二栅极的宽度，第一栅极上形成有硬掩膜层；在第一栅极、第二栅极和半导体衬底上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成层间介电层；执行第一化学机械抛光，停止于第一栅极上方的刻蚀停止层表面上；在层间介电层上形成暴露出第一栅极上方的刻蚀停止层的掩膜层；进行刻蚀工艺以去除未被掩膜层覆盖的刻蚀停止层和硬掩膜层；执行第二化学机械抛光，停止于第二栅极上方的刻蚀停止层表面上。根据本发明的方法，有效避免了栅极上的氮化硅的残留和碟形凹陷，抛光后层间介电层的表面平坦性好，提高了器件的性能和良率。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：步骤S101：提供包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的第一栅极和第二栅极的前端器件，所述第一栅极的宽度大于所述第二栅极的宽度，所述第一栅极上形成有硬掩膜层；步骤S102：在所述第一栅极、所述第二栅极和所述半导体衬底上形成刻蚀停止层；步骤S103：在所述刻蚀停止层上形成层间介电层；步骤S104：执行第一化学机械抛光，停止于所述第一栅极上方的刻蚀停止层表面上；步骤S105：在所述层间介电层上形成暴露出所述第一栅极上方的刻蚀停止层的掩膜层；步骤S106：进行刻蚀工艺以去除未被掩膜层覆盖的所述第一栅极上方的刻蚀停止层和硬掩膜层；步骤S107：去除所述掩膜层并执行第二化学机械抛光，停止于所述第二栅极上方的刻蚀停止层表面上。