[发明专利]高表面积石墨化碳及其制造方法有效
申请号: | 201510418569.4 | 申请日: | 2008-07-02 |
公开(公告)号: | CN105047951B | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
发明(设计)人: | 孙轶鹏;沈剑平;戈登.赖斯;保利纳.阿塔纳索瓦;杰弗里.D.莫泽 | 申请(专利权)人: | 卡伯特公司 |
主分类号: | H01M4/88 | 分类号: | H01M4/88;H01M4/92;H01M8/1011 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及高表面积石墨化碳以及制造高表面积石墨化碳的方法。该方法包括对起始碳材料进行石墨化并提高其表面积以形成高表面积石墨化碳的步骤、或者提高起始碳材料的表面积并对其进行石墨化以形成高表面积石墨化碳的步骤。提高表面积的步骤任选地包括氧化步骤(例如通过蒸汽侵蚀)或者从复合颗粒除去模板。本发明还涉及由所述高表面积石墨化碳形成的催化剂颗粒以及使用催化剂颗粒的电极。 | ||
搜索关键词: | 表面积 石墨 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
制造高表面积石墨化碳的方法,所述高表面积石墨化碳具有200m2/g~1000m2/g的表面积,所述方法包括石墨化并提高起始碳材料的表面积以形成高表面积石墨化碳的步骤,其中所述起始碳材料包括复合颗粒,每个复合颗粒包含碳相和模板相,且提高表面积的步骤通过除去所述模板相来进行,其中所述石墨化形成具有由XRD测得的低于0.3500nm的d间距的石墨化碳材料,其中石墨化步骤包括热处理至1500℃~2700℃的温度1分钟~10小时,其中所述方法进一步包括如下的步骤:使具有多孔结构的二氧化硅颗粒与碳前体在有效地使碳前体渗入二氧化硅颗粒的多孔结构的条件下混合;和使所述碳前体在多孔二氧化硅颗粒的多孔结构内转变为碳以形成所述复合颗粒。
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