[发明专利]半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510418717.2 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN106356715A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 程洋;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,黄进 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器，包括衬底以及依次叠层设置于该衬底上的下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层以及上限制层，其中，所述上限制层的材料为透明导电氧化物。本发明还公开了如上所述半导体激光器的制备方法。本发明提供的半导体激光器中，通过使用透明导电氧化物替代P型氮化铝镓或者氮化铝镓/氮化镓超晶格作为上限制层的材料。由于透明导电氧化物可以在较低的温度下沉积，且具有较低的电阻率，因而可以减少上限制层的电阻率，降低激光器整体的串联电阻，同时减小量子阱有源区在上限制层生长过程中的热退化，提高激光器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器，包括衬底以及依次叠层设置于该衬底上的下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层以及上限制层，其特征在于，所述上限制层的材料为透明导电氧化物。
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