[发明专利]一种气体分布扩散板、等离子体处理器在审
申请号: | 201510418759.6 | 申请日: | 2015-07-16 |
公开(公告)号: | CN106356318A | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 刘骁兵;刘志强;李坤龙 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种气体分布扩散板,其包括温度控制装置,所述温度控制装置用于控制所述气体分布扩散板的温度保持稳定。稳定的表面温度使得进入反应腔内的反应气体吸附在气体分布扩散板表面的几率以及该反应气体原子活性基与气体分布扩散板表面的复合速率保持稳定,所以,通过本发明提供的气体分布扩散板,能够保证参与晶圆处理的反应气体中的气体分子和原子自由基浓度基本稳定,从而保证晶圆处理工艺的稳定性,进而提高晶圆处理的质量和性能。稳定的表面的温度可以降低工艺处理中反应副产物在扩散板表面的沉积形成固体颗粒掉落处理晶圆表面的风险,提高产品良率。本发明还提供了一种等离子体处理器。 | ||
搜索关键词: | 一种 气体 分布 扩散 等离子体 处理器 | ||
【主权项】:
一种气体分布扩散板,其特征在于,包括:温度控制装置,所述温度控制装置用于控制所述气体分布扩散板的温度保持稳定,所述温度控制装置将所述气体分布扩散板的温度控制在预设温度,所述预设温度低于阈值温度,所述阈值温度为复合产物的解离速率处于极小值时的温度,所述复合产物为反应气体粒子与气体分布扩散板之间由于吸附及复合作用产生的反应产物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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