[发明专利]一种氮化钽TaN薄膜的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510418839.1 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN106356297B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘骁兵;刘志强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化钽TaN的刻蚀方法，包括：步骤a、在第一时间段内，向反应腔室内通入第一刻蚀气体，以使TaN与所述第一刻蚀气体发生界面反应生成第一刻蚀产物；步骤b、在第二时间段内，向反应腔室内通入第二刻蚀气体；步骤c、循环执行所述步骤a和所述步骤b，直至所述TaN完全去除。在本发明提供的TaN刻蚀方法中，其在整个刻蚀过程中，能够保证TaN薄膜不同区域的刻蚀速率均相同，因此，在整个TaN薄膜材料刻蚀结束后，不会出现局部区域出现过刻蚀的现象，不会出现过刻蚀损害TaN薄膜下方的层结构。因此，相较于现有技术的刻蚀方法，本发明提供的刻蚀方法能够提高刻蚀工艺的兼容性和产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 tan 薄膜 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化钽TaN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤a、在第一时间段内，向反应腔室内通入第一刻蚀气体，以使TaN与所述第一刻蚀气体发生界面反应生成第一刻蚀产物，所述第一刻蚀产物附着在未反应的TaN薄膜表面上，以形成覆盖于未反应TaN薄膜上的沉积层；步骤b、在第二时间段内，向反应腔室内通入第二刻蚀气体，所述第二刻蚀气体与至少一部分所述第一刻蚀产物发生反应生成第二刻蚀产物，同时利用所述第二刻蚀气体的气流将所述第二刻蚀产物和未反应的所述第一刻蚀产物从TaN薄膜移除；步骤c、循环执行所述步骤a和所述步骤b，直至所述TaN薄膜完全去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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