[发明专利]基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510419074.3 申请日: 2015-07-16
公开(公告)号: CN105067835B 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 国世上;赵兴中;张玲玲;刘畅 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: G01P5/08 分类号: G01P5/08;G01N11/00
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 代理人: 胡艳
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法,包括玻璃基片和微流控芯片基片;玻璃基片上集成有两相平行的P(VDF‑TrFE)电纺丝薄膜条;微流控芯片基片制作有微沟道和分布于微沟道两侧的电极凹槽;微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口,进样口、出样口与微沟道两端连通,银浆注入口与电极凹槽连通;玻璃基片和微流控芯片基片键合,P(VDF‑TrFE)电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单,成本低廉,在低流速流体驱动下也有较大信号输出,不仅能测试驱动流体的流速,也能测试驱动流体的粘度系数。
搜索关键词: 基于 柔性 薄膜 流体 驱动 压电 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器,其特征在于,包括:玻璃基片和微流控芯片基片;玻璃基片上集成有两相平行的P(VDF‑TrFE)电纺丝薄膜条;微流控芯片基片制作有微沟道、第一电极凹槽、第二电极凹槽、第三电极凹槽、第四电极凹槽,第一电极凹槽和第二电极凹槽位于微沟道一侧,第三电极凹槽和第四电极凹槽位于微沟道另一侧;微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口,进样口、出样口与微沟道两端连通,银浆注入口与电极凹槽连通;玻璃基片和微流控芯片基片键合,一P(VDF‑TrFE)电纺丝薄膜条两端分别位于第一电极凹槽和第三电极凹槽底,另一P(VDF‑TrFE)电纺丝薄膜条两端分别位于第二电极凹槽和第四电极凹槽底。
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