[发明专利]一种离子注入装置有效
| 申请号： | 201510419657.6 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105006417B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 周向前;瞿鑫 | 申请（专利权）人： | 周向前 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/30 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 罗攀,肖冰滨 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子器件领域，公开了一种离子注入装置，包括离子源，其用于产生并发射离子束；以及第一电极装置，其设置在离子源到样品的路径上，用于产生沿所述离子源的中轴线方向分布的锥形电场，并使所述离子束中不沿离子源的中轴线方向运动的离子在该锥形电场的作用下沿垂直于所述中轴线的方向偏转而不注入样品。此外，还在所述第一电极装置的下游设置有第二电极装置，用于产生辅助离子偏转的电场，该电场被施加时，沿中轴线方向的离子发生偏转而不注入样品，而该电场不被施加时，沿中轴线方向的离子穿过第二电极装置并注入到样品。本发明通过锥形电场进行离子束稀释，通过横向电场形成离子闸门，以实现少量离子甚至单离子的注入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 装置 | ||
【主权项】：
一种离子注入装置，用于将离子注入样品中，其特征在于，包括：离子源(1)，其用于产生并发射离子束(2)；以及第一电极装置(5)，其设置在所述离子源(1)到所述样品(4)的路径上，用于产生沿所述离子源的中轴线(3)方向分布的锥形电场(6)，并使所述离子束(2)中不沿离子源的中轴线(3)方向运动的离子在该锥形电场(6)的作用下沿垂直于所述中轴线(3)的方向偏转而不注入所述样品(4)。
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