[发明专利]半导体用铝合金的制备方法在审
| 申请号： | 201510419703.2 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN106702186A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 吴景晖;姚力军;张卫嘉 | 申请（专利权）人： | 宁波创润新材料有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;C22C21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种半导体用铝合金的制备方法，包括提供铝料和合金料；熔化铝料；向熔融的铝料内添加合金料形成铝合金料，并依次进行搅拌扒渣、排气精炼；对铝合金料进行真空静置排气处理；对铝合金料进行取样分析，判断铝合金料的成分配比是否符合设计要求；当成分配比不符合设计要求时，根据分析结果再次加入合金料或者铝料以使铝合金料的成分配比符合设计要求，并重新执行上述搅拌扒渣、排气精炼、真空静置排气处理以及取样分析的步骤；当成分配比符合设计要求时，进行铸造成型获得铝合金。因此，本发明所获得的铝合金主元素混合均匀，杂质含量低，能够满足半导体材料成分的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 铝合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体用铝合金的制备方法，其特征在于，包括：提供铝料和合金料；熔化所述铝料；向熔融的铝料内添加合金料形成铝合金料，并依次进行搅拌扒渣、排气精炼；对所述铝合金料进行真空静置排气处理；对所述铝合金料进行取样分析，判断所述铝合金料的成分配比是否符合设计要求；当所述成分配比不符合设计要求时，根据分析结果再次加入合金料或者铝料以使所述铝合金料的成分配比符合设计要求，并重新执行上述搅拌扒渣、排气精炼、真空静置排气处理以及取样分析的步骤；当所述成分配比符合设计要求时，进行铸造成型获得铝合金。
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