[发明专利]相位反转空白掩模及光掩模有效

专利信息
申请号: 201510421048.4 申请日: 2015-07-17
公开(公告)号: CN106200256B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 南基守;申澈;梁澈圭;李钟华;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 申请(专利权)人: 株式会社SSTECH
主分类号: G03F1/26 分类号: G03F1/26;G03F1/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 樊晓焕;张天舒
地址: 韩国大邱广域市达西*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及相位反转空白掩模及光掩模,相位反转空白掩模的遮光膜由具有包括第一遮光层及第二遮光层的多层膜或连续膜结构的金属化合物形成。第二遮光层比第一遮光层,每单位厚度的曝光波长的光密度更高,第一遮光层的厚度为遮光膜的总厚度的70%~90%。这种空白掩模可确保遮光性,改善刻蚀速度,且可薄膜化抗蚀膜的厚度,从而可实现微细图案。
搜索关键词: 相位 反转 空白 光掩模
【主权项】:
一种相位反转空白掩模,具有形成于透明基板上的相位反转膜及遮光膜,其特征在于,上述遮光膜由具有多层膜及连续膜中的一种膜的结构的金属化合物形成,上述多层膜包括与上述透明基板相邻地形成的第一遮光层和形成于上述第一遮光层上的第二遮光层,上述第二遮光层比上述第一遮光层,每单位厚度的曝光波长的光密度更高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社SSTECH,未经株式会社SSTECH许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510421048.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top