[发明专利]相位反转空白掩模及光掩模有效
申请号: | 201510421048.4 | 申请日: | 2015-07-17 |
公开(公告)号: | CN106200256B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 南基守;申澈;梁澈圭;李钟华;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 | 申请(专利权)人: | 株式会社SSTECH |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26;G03F1/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 樊晓焕;张天舒 |
地址: | 韩国大邱广域市达西*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及相位反转空白掩模及光掩模,相位反转空白掩模的遮光膜由具有包括第一遮光层及第二遮光层的多层膜或连续膜结构的金属化合物形成。第二遮光层比第一遮光层,每单位厚度的曝光波长的光密度更高,第一遮光层的厚度为遮光膜的总厚度的70%~90%。这种空白掩模可确保遮光性,改善刻蚀速度,且可薄膜化抗蚀膜的厚度,从而可实现微细图案。 | ||
搜索关键词: | 相位 反转 空白 光掩模 | ||
【主权项】:
一种相位反转空白掩模,具有形成于透明基板上的相位反转膜及遮光膜,其特征在于,上述遮光膜由具有多层膜及连续膜中的一种膜的结构的金属化合物形成,上述多层膜包括与上述透明基板相邻地形成的第一遮光层和形成于上述第一遮光层上的第二遮光层,上述第二遮光层比上述第一遮光层,每单位厚度
的曝光波长的光密度更高。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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