[发明专利]单晶的制造方法及制造装置有效
| 申请号： | 201510421141.5 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN105297131B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 佐藤利行 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/30 | 分类号： | C30B13/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 何欣亭,陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为单晶的制造方法及制造装置。一种利用悬浮区熔法的单晶的制造方法，其中包括熔接工序，加热原料棒的前端部并使之熔融之后，熔接到安装到晶体输送机构的晶种；减径工序，以实现无错位化的方式使单晶的直径减径；锥体部形成工序，扩大直径并使单晶生长；以及直躯体部形成工序，将直径保持一定的状态下使单晶生长，减径工序包含减径直径控制工序，操作向感应加热线圈供给的高频电流而对单晶的减径直径进行PID控制；以及减径位置控制工序，操作单晶的下降速度而对单晶的减径位置进行PID控制。从而将减径工序自动化，并在转移到锥体部育成工序后降低单晶的有错位化的发生频率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种单晶的制造方法，是利用具备使原料棒下降的原料输送机构、与所述原料输送机构在同轴上配置并使利用熔融的原料育成的单晶下降的晶体输送机构、和加热所述原料棒的下端部而使之熔融的感应加热线圈的单晶制造装置的利用悬浮区熔法的单晶的制造方法，其特征在于，包括：熔接工序，加热所述原料棒的前端部并使之熔融后，熔接到安装在晶体输送机构的晶种；减径工序，以实现无错位化的方式使单晶的直径减径；锥体部形成工序，扩大所述直径并使所述单晶生长；以及直躯体部形成工序，在将所述直径保持一定的状态下使所述单晶生长，所述减径工序包含：减径直径控制工序，操作向所述感应加热线圈供给的高频电流而对所述单晶的减径直径进行PID控制；以及减径位置控制工序，操作所述单晶的下降速度而对所述单晶的减径位置进行PID控制。
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