[发明专利]可改善工作性能的单晶硅压力传感器芯片

摘要

本发明公开了一种可改善工作性能的单晶硅压力传感器芯片，其包括有衬底，衬底之上设置有单晶硅层；所述单晶硅层由设置在衬底上方的单晶硅薄膜，以及于单晶硅薄膜与衬底之间形成的真空腔构成。所述真空腔在任意位置的竖直方向上的截面均为梯形结构，真空腔的侧端面与上端面之间设置有弧形连接段；采用上述技术方案的可改善工作性能的单晶硅压力传感器芯片，其可通过真空腔中的弧形连接段，使得上述单晶硅压力传感器芯片内部形成弧角梯形结构，从而使得传感器芯片的抗过压能力得以改善，以使得相同量程下，传感器芯片在高压状态下的过压性能较于常规芯片具有显著改善。

主权项

一种可改善工作性能的单晶硅压力传感器芯片，其包括有衬底，衬底之上设置有单晶硅层；所述单晶硅层由设置在衬底上方的单晶硅薄膜，以及于单晶硅薄膜与衬底之间形成的真空腔构成；其特征在于，所述真空腔在任意位置的竖直方向上的截面均为梯形结构，真空腔的侧端面与上端面之间设置有弧形连接段，所述单晶硅薄膜的上端面设置有包括第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻以及第四压敏电阻在内的惠斯通电桥；多个压敏电阻均包括有压敏端，以及两个由压敏端延伸而出的连接端；多个压敏电阻之间通过连接至连接端的金属引线彼此进行连接，所述第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻以及第四压敏电阻关于单晶硅薄膜的中心位置成旋转对称，所述单晶硅薄膜中，第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻以及第四压敏电阻的压敏端依次设置于单晶硅薄膜上端面的端角位置，使得四个压敏电阻在单晶硅薄膜上端面形成“X”形的镜像布局，每一个压敏电阻中的两个连接端的延伸方向均平行于单晶硅薄膜的对角线，且其均朝向单晶硅薄膜的中心区域延伸，任意两个相邻的压敏电阻之间通过分别连接至上述两个压敏电阻彼此相邻的连接端之间的金属引线进行连通。