[发明专利]一种发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，它包括衬底，衬底的刻蚀处设置有n电极，衬底的上表面为n‑Mg2Si薄膜，n‑Mg2Si薄膜的上表面为p‑Mg2Si薄膜，p‑Mg2Si薄膜的上表面有p电极；其制备方法清洗衬底并吹干；在衬底上利用溅射一层n‑Si膜；在n‑Si膜上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；在Mg膜上利用磁控溅射方法溅射一层p‑Si膜；将溅射后的n‑Si、Mg和p‑Si膜进行退火处理，将衬底局部刻蚀；在衬底刻蚀处热蒸发Ag膜作为n电极层；在p‑Mg2Si薄膜上表面右端热蒸发金膜作为p电极层；解决了现有技术二极管对人体有害，回收成本高；出光效率较低；不利于工业化大批量生产等问题。

主权项

一种发光二极管的制备方法，它包括衬底（1），衬底（1）的刻蚀处设置有n电极（4），衬底（1）的上表面为n‑Mg2Si薄膜（2），n‑Mg2Si薄膜（2）的上表面为p‑Mg2Si薄膜（3），p‑Mg2Si薄膜（3）的上表面设置有p电极（5）；其特征在于：所述制备方法包括：步骤1、清洗衬底并吹干；步骤2、在衬底上利用磁控溅射方法溅射一层n‑Si膜；步骤3、在n‑Si膜上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；步骤4、在Mg膜上利用磁控溅射方法溅射一层p‑Si膜；步骤5、将溅射后的n‑Si、Mg和p‑Si膜进行退火处理，得到n‑Mg2Si、p‑Mg2Si异质结，作为二极管的发光层；步骤6、将衬底局部刻蚀；步骤7、在衬底刻蚀处热蒸发一层Ag膜作为n电极层；步骤8、在p‑Mg2Si薄膜上表面右端热蒸发一层金膜作为p电极层。