[发明专利]光源-掩膜优化方法和光源-掩膜-偏振优化方法有效
| 申请号： | 201510422557.9 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN106338891B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 杜杳隽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光源‑掩膜优化方法和光源‑掩膜‑偏振优化方法。所述光源‑掩膜优化方法包括剂量优化，所述剂量优化包括：在预定剂量范围内以不同的剂量配置多次实施光源‑掩膜优化，得到多个经优化光源，每个剂量配置对应于一个经优化光源；以及从所述多个经优化光源中选择最佳经优化光源，并将所述最佳经优化光源所对应的剂量配置作为最终剂量配置，其中所述最佳经优化光源针对测试图形具有最大工艺窗口。本发明所提供的光源‑掩膜优化方法引入了新的变量的优化即剂量优化，可以进一步改善工艺窗口，提高光刻成像的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 光源 优化 方法 掩膜 偏振 | ||
【主权项】：
1.一种光源‑掩膜优化方法，其特征在于，所述光源‑掩膜优化方法包括剂量优化，所述剂量优化包括：针对测试图形在预定剂量范围内以不同的剂量配置多次实施光源‑掩膜优化，得到多个经优化光源，每个剂量配置对应于一个经优化光源；以及从所述多个经优化光源中选择最佳经优化光源，并将所述最佳经优化光源所对应的剂量配置作为最终剂量配置，其中所述最佳经优化光源针对所述测试图形具有最大工艺窗口。
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