[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510425400.1 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106252223B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 洪钰珉;韩宗廷;徐妙枝 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/768;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：一基板；一第一字线垫(word line pad)，形成于该基板上；以及一第二字线垫，形成于该基板上；其中一间距(space)位于该第一字线垫和该第二字线垫之间，该间距包括一第一间距宽度和一第二间距宽度，该第一间距宽度是以a表示，该第二间距宽度是以b表示，其中该第一间距宽度a小于该第二间距宽度b。该方法可包括以自对准二重图案化步骤图案化阵列和周边区、并提供以此结合的图案化步骤制作而成的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一基板；一第一字线垫，形成于该基板上；以及一第二字线垫，形成于该基板上；其中一间距位于该第一字线垫和该第二字线垫之间，该间距包括一第一间距宽度和一第二间距宽度，该第一间距宽度是以a表示，该第二间距宽度是以b表示，其中该第一间距宽度a小于该第二间距宽度b，且该间距包括一半圆；其中，该第二间距宽度b相较于该第一间距宽度a位于距离一字线较近处，且其中该字线连接至该第一字线垫或该第二字线垫，该半圆间距靠近该字线，第二间距宽度b为半圆的弦长，一矩形间距相对于该字线并连接该半圆间距，第一间距宽度a为该矩形间距的宽度，该第二间距宽度b为1.5～3.0倍的该第一间距宽度a。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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