[发明专利]具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201510426718.1 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106374001B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 卢建娅;陆书龙;谭明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/18;H01L31/052 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,黄进 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池，其特征在于，包括依次叠层设置于廉价衬底上的底电极、AlInP背散射层、GaInP背场层、p‑GaAs基层、n‑GaAs发射层、GaInP窗口层、GaAs接触层以及顶电极；其中，所述AlInP背散射层朝向所述底电极的一侧具有多个凸起的锥形结构。本发明还公开了如上所述GaAs薄膜太阳电池的制备方法。通过设置锥形背散射层以提高GaAs薄膜太阳电池的光电转换效率，采用廉价衬底，降低了电池的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 锥形 散射 gaas 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池，其特征在于，包括依次叠层设置于廉价衬底上的底电极、AlInP背散射层、GaInP背场层、p‑GaAs基层、n‑GaAs发射层、GaInP窗口层、GaAs接触层以及顶电极；其中，所述AlInP背散射层朝向所述底电极的一侧具有多个凸起的锥形结构，所述廉价衬底为硅衬底、铜衬底、玻璃衬底或聚酰亚胺衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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