[发明专利]基于金刚石衬底的氮化物结构、制备方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201510426867.8 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN105322007B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;吴传佳;裴轶 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 张海英;林波 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金刚石衬底的氮化物结构、制备方法及半导体器件，所述氮化物结构包括金刚石衬底；位于所述金刚石衬底上的至少一层IV族原子层；位于所述至少一层IV族原子层上的氮化物外延层。本发明解决了在金刚石衬底上生长氮化物外延层失配大，氮化物外延层和金刚石衬底界面处热阻大，工艺复杂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金刚石 衬底 氮化物 结构 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于金刚石衬底的氮化物结构，其特征在于，包括：金刚石衬底；位于所述金刚石衬底上的至少一层IV族原子层；位于所述至少一层IV族原子层上的氮化物外延层；所述氮化物外延层和至少一层IV族原子层之间还包括依次层叠的V族原子层和![]()
族原子层。
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