[发明专利]基于单一硅材料的光变防伪薄膜有效
| 申请号： | 201510427099.8 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN105158835B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 卜轶坤;肖丽翔;邓子豪;冯都镇;方凡;傅宇翔;陈楠 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G02B5/28 | 分类号： | G02B5/28 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 基于单一硅材料的光变防伪薄膜，涉及光学防伪。所述基于单一硅材料的光变防伪薄膜为全介质高反射膜、硅与介质间隔层组成的反射膜、硅与对称F‑P介质组合膜系组成的反射膜；全介质高反射膜的膜系结构表示为A/(HL)s H/G。硅与介质间隔层组成的反射膜的膜系结构分别为A/(4M2.6L)x100M’/G和A/(4M1.85H)y 100M’/G。硅与对称F‑P介质组合膜系组成的反射膜的膜系结构A/4M0.88L(HL)p(LH)p 0.29L100M’/G。只采用硅作为镀膜材料，制备更加环保，成本更低，且原材料来源广。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单一 材料 防伪 薄膜 | ||
【主权项】：
基于单一硅材料的光变防伪薄膜，其特征在于为硅与介质间隔层组成的反射膜，膜系结构分别为A/(4M2.6L)x100M’/G和A/(4M1.85H)y100M’/G，其中，A为入射介质空气，G为衬底玻璃，H为高折射率材料氮化硅，L为低折射率材料二氧化硅，M为超薄硅层，作为吸收层，M’为较厚硅层，作为高反射层，x为周期数，1，2，3，4，5，6；y为周期数，周期数为1，2；介质隔层两端的反射镜，一端全反射，另一端半透半反。
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