[发明专利]一种存储单元电路的抗辐射版图设计方法有效
| 申请号： | 201510427323.3 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106372269B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 佘晓轩 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于集成电路领域，涉及一种存储单元电路的抗辐射版图设计方法，本发明中使持相反值的不同PMOS晶体管漏极尽可能靠近并完全对称；使持相反值的不同NMOS晶体管漏极尽可能靠近并完全对称；并使同一存储节点上PMOS晶体管漏极和NMOS晶体管漏极尽可能靠近。本发明通过相互靠近的晶体管漏极间的辐射抵消作用，使所述的存储单元具有抗辐射特性，本发明方法中不需要增加任何额外晶体管，因此额外面积开销很低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 电路 辐射 版图 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元电路的抗辐射版图设计方法，其特征在于，其包括下述步骤：步骤1：采用传统集成电路设计方法设计指定存储单元的电路原理图；步骤2：根据步骤1的存储单元电路原理图，采用传统集成电路设计方法设计电路版图；在存储单元版图设计中，使持相反值的不同PMOS晶体管的漏极在制造工艺许可条件下尽可能靠近，并使之完全对称；使持相反值的不同NMOS晶体管的漏极在制造工艺许可条件下尽可能靠近，并使之完全对称；使同一存储节点上PMOS漏极和NMOS漏极在制造工艺许可条件下尽可能靠近。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510427323.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
