[发明专利]一种可实现高效封装的GaN基LED芯片制备方法

摘要

一种可实现高效封装的GaN基LED芯片制备方法，包括以下步骤（1）制备外延片，在外延片表面蒸镀一层ITO透明导电层；(2) 制作P电极和N电极；保留P电极和N电极上的光刻胶掩膜，暂不去除；(3)对外延片进行切割，形成单颗芯片单元，切割至衬底处，使相邻芯片单元之间形成隔离槽；(4)在带有隔离槽的外延片表面沉积SiO2，利用湿法腐蚀去除芯片电极表面的光刻胶掩膜；(5)对芯片单元进行金属化连接；(6)根据封装要求切割出所需的LED芯片。本发明从LED芯片工艺制程上预先进行串并连接，然后再进行封装制程；可根据需求切割出相应的芯片，直接进行封装，具有封装过程操作方便、封装效率高、成本低、产品性能稳定、发光效率高、可靠性好等特点。

主权项

一种可实现高效封装的GaN基LED芯片制备方法，其特征是，包括以下步骤：(1)制备外延片；在衬底上生长外延层，形成外延片；外延层由下至上依次为GaN层、N型GaN层、量子阱有源区和P型GaN层；在外延片表面蒸镀一层ITO透明导电层；(2)制作P电极和N电极；利用光刻胶做掩膜，在外延片表面制作P电极图形和N电极图形；用湿法腐蚀去除电极图形之外的光刻胶掩膜，对ITO进行退火形成P电极的欧姆接触层；利用光刻胶做掩膜，制备p、n电极图形在N电极图形上刻蚀去除P型GaN层和量子阱有源区，使N型GaN层露出，形成N电极，保留P电极和N电极上的光刻胶掩膜，暂不去除；(3)对外延片进行切割，形成单颗芯片单元，切割至衬底处，使相邻芯片单元之间形成隔离槽；(4)通过金属有机物化学气相沉积法在带有隔离槽的外延片表面沉积SiO2，以作为芯片单元表面的保护层、芯片单元侧壁的钝化层以及隔离槽内的填充物，利用湿法腐蚀去除芯片电极表面的光刻胶掩膜；(5)在芯片单元表面蒸镀金属层，对芯片单元进行金属化连接，去除不需要连接的部分金属，使每列上相邻芯片单元的电极进行串联，每行上相邻芯片单元的电极进行并连；(6)根据封装要求切割出所需的LED芯片。