[发明专利]具有内容寻址功能的MRAM芯片及内容寻址方法有效

专利信息
申请号: 201510428887.9 申请日: 2015-07-21
公开(公告)号: CN105609130B 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 戴瑾 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种MRAM芯片,包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列,每个阵列与控制电路连接,控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制,控制电路还包括比较器与搜索控制器,比较器用于比较从阵列中读出的内容与搜索字,搜索控制器用于控制内容寻址操作。本发明还提供上述MRAM芯片的内容寻址操作方法。本发明提供的MRAM芯片及内容寻址操作方法,搜索速度比软件搜索快得多;多个阵列的内容寻址操作是并行的,进一步提高搜索速度;由于实现电路简单,耗电大大降低,非常适用于物联网和可穿戴电子设备等领域;只需要在每个阵列外增加一部分电路,芯片总面积增加很少,因而是费效比很高的方案。
搜索关键词: 具有 内容 寻址 功能 mram 芯片 方法
【主权项】:
一种MRAM芯片,包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列,每个阵列与控制电路连接,所述控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制,其特征在于,所述控制电路还包括比较器与搜索控制器,所述比较器用于比较从阵列中读出的内容与搜索字,所述搜索控制器用于控制内容寻址操作。
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