[发明专利]线偏振平面光波对处于拓扑绝缘体衬底上方微粒的可调谐捕获和筛选的方法有效
申请号: | 201510429872.4 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN105116534B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 曹暾 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | G02B21/32 | 分类号: | G02B21/32;G21K1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提供一种线偏振平面光波对处于拓扑绝缘体衬底上方微粒的可调谐捕获和筛选的方法,破坏微粒周围的玻印亭矢量的对称分布,使微粒上的总玻印亭矢量不为零,产生非梯度光学力;然后,通过改变拓扑绝缘体衬底平板的量子态,改变微粒上的总玻印亭矢量的方向和大小,进而改变总玻印亭矢量作用在微粒上的非梯度光学力的方向和大小,来调控微粒在入射光场中的运动轨迹,从而对附着在微粒表面的纳米尺寸分子进行可调谐捕获和筛选的技术方案。其中,通过光照、通电、加热、加压、和外加磁场等方式实现拓扑绝缘体衬底平板从拓扑非平庸到拓扑平庸的可逆量子相变。 | ||
搜索关键词: | 偏振 平面 光波 处于 拓扑 绝缘体 衬底 上方 微粒 调谐 捕获 筛选 方法 | ||
【主权项】:
一种线偏振平面光波对处于拓扑绝缘体衬底上方微粒的可调谐捕获和筛选的方法,其特征在于,将微粒置于拓扑绝缘体衬底平板上方,该拓扑绝缘体衬底平板破坏了微粒周围的玻印亭矢量对称分布,使微粒上的总玻印亭矢量不为零,产生非梯度光学力;通过改变拓扑绝缘体衬底平板的量子态,改变微粒上的总玻印亭矢量分布,进而改变总玻印亭矢量作用在微粒上的非梯度光学力的方向和大小,来调控微粒在入射光场中的运动轨迹,从而对附着在微粒表面的纳米尺寸分子进行可调谐捕获和筛选,其中,微粒置于拓扑绝缘体衬底平板上方,微粒材料是介质或金属,拓扑绝缘体衬底的长、宽、高在10纳米到10米,微粒与拓扑绝缘体衬底平板表面的距离为l,l>0;微粒的外形是曲面几何体或多面体,体积在1立方纳米至1000立方微米。
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